5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15％，而且依然可以维持高达4.3GB/s的高持续读取速度。
这样的性能，已经超过了好的PCIe 3.0 SSD。
同时，随机读写性能分别提升了15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。
能效方面，SK海力士也宣称提升了7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。
不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，目前还是512GB、1TB。
本文链接：http://www.vanbs.com/v-146-426.html手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
相关文章：
折叠屏性能天花板！荣耀Magic V5跑分出炉：搭载骁龙8至尊领先版06-04
形容环境优美的句子05-26
自信与自卑的名言12-23
外科医生年终述职报告02-19
公司前台转正申请书08-02
工程施工内部承包协议书02-12
药品销售合作协议书09-27
宠物店创新创业项目计划书07-20
以清明节为主题的演讲稿04-03
大一新生军训开幕式主持词11-22
小学秋日赏菊作文11-18
高职校长开学寄语新生10-05
《天净沙秋思》的扩写作文09-14
大学助学金贫困申请书08-31
北京工商大学有哪些专业01-22
四川水利职业技术学院崇州校区水电怎么样08-17
《希腊神话》阅读答案阅读测试题11-30
小学生评语【最新7篇】08-09
做班主任很快乐07-23
食品供应应急预案12-07
最经典的洗衣店广告语09-28
教师作风整顿自检自查报告08-10
恋爱先生电视剧台词07-25